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专利名称:
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
发明人:
杨少延;陈涌海;李成明;范海波;王占国
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4873
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专利名称:
电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法
发明人:
梁松;孔端花;朱洪亮;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4739
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专利名称:
双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法
发明人:
梁松;朱洪亮;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4711
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专利名称:
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4769
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专利名称:
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
发明人:
周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4634
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专利名称:
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
发明人:
周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4653
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专利名称:
采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4613
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专利名称:
锗基赝砷化镓衬底的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;潘教青;朱洪亮;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4724
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专利名称:
硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4699
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专利名称:
InGaN太阳能电池及其制作方法
发明人:
李亮;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;吴亮亮;乐伶聪;杨辉
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4319
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专利名称:
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4720
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专利名称:
在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法
发明人:
査国伟;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4433
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专利名称:
在硅上集成HEMT器件的方法
发明人:
米俊萍;周旭亮;于红艳;李梦珂;李士颜;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4781
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专利名称:
硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4856
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专利名称:
硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4622
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专利名称:
低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4784
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专利名称:
在Si基上制备InP基HEMT的方法
发明人:
李士颜;周旭亮;于鸿艳;李梦珂;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4736
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专利名称:
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
发明人:
李梦珂;周旭亮;于红艳;李士颜;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4458
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专利名称:
在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法
发明人:
李士颜;周旭亮;于红艳;李梦珂;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4486
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专利名称:
制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法
发明人:
喻颖;査国伟;徐建星;尚向军;李密锋;倪海桥;贺振宏;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4617
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