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专利名称:
双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法
发明人:
梁松;朱洪亮;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
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点击量:4383
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专利名称:
应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4407
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专利名称:
运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备
发明人:
周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4322
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专利名称:
倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法
发明人:
周旭亮;于红艳;王宝军;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4345
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专利名称:
采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4298
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专利名称:
锗基赝砷化镓衬底的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;潘教青;朱洪亮;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4387
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专利名称:
硅基高迁移率沟道CMOS的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4366
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专利名称:
InGaN太阳能电池及其制作方法
发明人:
李亮;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;吴亮亮;乐伶聪;杨辉
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
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点击量:4001
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专利名称:
一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4396
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专利名称:
在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法
发明人:
査国伟;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4107
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专利名称:
在硅上集成HEMT器件的方法
发明人:
米俊萍;周旭亮;于红艳;李梦珂;李士颜;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4453
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专利名称:
硅基高迁移率Ⅲ-V/Ge沟道的CMOS制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李士颜;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4537
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专利名称:
硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4293
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专利名称:
低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法
发明人:
周旭亮;于红艳;米俊萍;潘教青;王圩
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4443
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专利名称:
在Si基上制备InP基HEMT的方法
发明人:
李士颜;周旭亮;于鸿艳;李梦珂;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4417
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专利名称:
ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法
发明人:
李梦珂;周旭亮;于红艳;李士颜;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4136
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专利名称:
在Si基上制备InP基n-MOS器件的方法
发明人:
李士颜;周旭亮;于红艳;李梦珂;米俊萍;潘教青
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4167
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专利名称:
制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法
发明人:
喻颖;査国伟;徐建星;尚向军;李密锋;倪海桥;贺振宏;牛智川
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4308
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专利名称:
激光无线输能系统
发明人:
韩培德;邢宇鹏;娄世殊;李小将;李怡勇
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
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点击量:4081
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专利名称:
改善硅纳米线太阳能电池性能的方法
发明人:
曾湘波;王凌潇;张晓东;杨萍;李浩;谢小兵;王启明
发布时间:
2021.07.15
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:4371
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