锗基赝砷化镓衬底的制备方法

一种锗基赝砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：清洗锗衬底，放入MOCVD设备的反应室；步骤2：采用700℃高温处理锗衬底；步骤3：采用MOCVD的方法，在锗衬底上外延生长缓冲层；步骤4：在缓冲层上，生长赝GaAs层，完成材料的制备。其是通过MOCVD外延技术并结合改变原料的低温缓冲层外延与锗匹配的赝砷化镓层，抑制了GaAs/Si界面失配位错和APD向外延层的延伸；低生长速率的控制可以有效地控制缺陷，从而得到高质量的锗基赝砷化镓材料。

1.一种锗基赝砷化镓衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤1：清洗锗衬底，放入MOCVD设备的反应室；步骤2：采用700℃高温处理锗衬底；步骤3：采用MOCVD的方法，在锗衬底上外延生长缓冲层，该缓冲层的条件是，反应室压力100mBar，叔丁基二氢砷和三乙基镓为原料，生长过程中叔丁基二氢砷和三乙基镓的输入摩尔流量比V/III在40-50之间，生长速率在0.1-0.3nm/s，厚度100nm，温度在400-450℃温度下降到生长温度后，先通叔丁基二氢砷5min；步骤4：在缓冲层上，生长赝GaAs层，即与Ge晶格匹配的InGaAs层，其生长条件是，砷烷、三甲基铟和三甲基镓为原料，生长过程中输入摩尔流量比V/III在30-50之间，温度为620-650℃，生长速率为
0.5-1.0nm/s，厚度为2微米，完成材料的制备。
2.根据权利要求1所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中锗衬底为n型低阻(001)锗，偏[110]4°，电阻率为0.01-0.1欧姆·厘米。
3.根据权利要求1所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中清洗是采用5％的HF和5％的H₂O₂循环洗三遍，最后用5％的HF清洗，每种溶液的清洗时间是30s。
4.根据权利要求1所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中高温处理锗衬底的时间是20min。
5.根据权利要求1所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中缓冲层的材料为GaAs，赝GaAs层的材料为与Ge晶格匹配的InGaAs。
6.根据权利要求5所述的锗基赝砷化镓衬底的制备方法，其中缓冲层和赝GaAs层为用双硅烷重掺杂，掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3。