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专利名称:
半导体装置
发明人:
大田刚志 新井雅俊 铃木诚和子
申请人:
株式会社东芝
发布时间:
2020.03.27
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:150373
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专利名称:
自对准抬升外基区锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
发明人:
付军 王玉东 张伟 李高庆 吴正立 崔杰 赵悦 刘志弘
申请人:
清华大学
发布时间:
2020.03.27
有效期:
不限
价格:
¥面议
点击量:150148
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