在硅上集成HEMT器件的方法

一种在硅上集成HEMT器件的方法，包括以下步骤：步骤1：采用UHVCVD方法，在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室进行高温处理；步骤3：采用低压MOCVD的方法，在锗层上外延生长掺铁的半绝缘层；步骤4：在半绝缘层上生长缓冲层；步骤5：用MOCVD的方法，在缓冲层上生长半导体层；步骤6：在半导体层上生长高掺杂的帽层，形成基片；步骤7：采用湿法腐蚀的方法，在基片的两侧从基片的表面向下腐蚀出台面，腐蚀深度到达半绝缘层内；步骤8：在帽层上表面的两侧制作源极和漏极；步骤9：在帽层的中间刻蚀出沟槽，暴露出半导体层，在半导体层上淀积金属形成栅极，完成HEMT的制备。

1.一种在硅上集成HEMT器件的方法，包括以下步骤：步骤1：采用UHVCVD方法，在硅衬底上生长锗层；步骤2：将生长有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室进行高温处理；步骤3：采用低压MOCVD的方法，在锗层上外延生长掺铁的半绝缘层；步骤4：在半绝缘层上生长缓冲层；步骤5：用MOCVD的方法，在缓冲层上生长半导体层；步骤6：在半导体层上生长高掺杂的帽层，形成基片；步骤7：采用湿法腐蚀的方法，在基片的两侧从基片的表面向下腐蚀出台面，腐蚀深度到达半绝缘层内；步骤8：在帽层上表面的两侧制作源极和漏极；步骤9：在帽层的中间刻蚀出沟槽，暴露出半导体层，在半导体层上淀积金属形成栅极，完成HEMT的制备。
2.根据权利要求1所述的在硅上集成HEMT器件的方法，其中硅衬底为(001)硅，偏[111]4°。
3.根据权利要求1所述的在硅上集成HEMT器件的方法，其中所述的进行高温处理的温度为700℃，MOCVD反应室内通入磷烷气体，然后停留300秒。
4.根据权利要求1所述的在硅上集成HEMT器件的方法，其中半绝缘层的材料为GaInP，生长压力为60mbar，三甲基镓、三甲基铟作为三族源，磷烷作为五族源，二乙基铁作为铁的有机源，使半绝缘层呈高阻特性，生长厚度为1μm。
5.根据权利要求1所述的在硅上集成HEMT器件的方法，其中缓冲层的材料为GaInP，厚度为300nm。
6.根据权利要求1所述的在硅上集成HEMT器件的方法，其中半绝缘层和缓冲层中Ga的组分为0.491-0.518。
7.根据权利要求1所述的在硅上集成HEMT器件的方法，其中半导体层包括依次生长的沟道层、隔离层和供应层。
8.根据权利要求7所述的在硅上集成HEMT器件的方法，其中沟道层的材料为镓砷，厚度为300-500nm；隔离层的材料为铝镓砷，厚度为3-9nm；供应层的材料为铝镓砷，厚度为40-50nm；沟道层材料为In_xGa_1-xAs，x的值为0.2-0.22，厚度为10-15nm；隔离层和供应层材料为GaInP。
9.根据权利要求1所述的在硅上集成HEMT器件的方法，其中帽层的掺杂浓度为(3-7)*10⁸，厚度为15nm。
10.根据权利要求1所述的在硅上集成HEMT器件的方法，其中源极和漏极的材料为Au/Ge/Ni，栅极的材料为Ti/Pt/Au。