在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法

一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。

1.一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴，该GaAs纳米线的侧壁为{110}面；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。
2.根据权利要求1所述的在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，其中该半导体衬底的材料为GaAs(001)或GaAs(111)B。
3.根据权利要求1所述的在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，其中在半导体衬底上生长二氧化硅层，采用的是离子束溅射的方法。
4.根据权利要求3所述的在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，其中该二氧化硅层的厚度为10-20nm。
5.根据权利要求4所述的在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，其中在二氧化硅层上生长纳米线的温度为600-670℃；生长时间为60-90min；生长速率为0.6-0.8ML/s。
6.根据权利要求5所述的在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，其中纳米线的长度为5-7μm。