ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法

一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，包括以下步骤：在硅衬底上生长二氧化硅层；采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽；分别用piranha、SC

1.一种ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，包括以下步骤：步骤1：在硅衬底上生长二氧化硅层；步骤2：采用全息曝光和ICP的方法在二氧化硅层上沿着硅衬底的<110>方向刻蚀出多个沟槽；步骤3：分别用piranha、SC₂、HF和去离子水清洗，除去沟槽底部剩余的二氧化硅层，露出硅衬底；步骤4：采用MOCVD的方法，在沟槽内的硅衬底上依次生长缓冲层、超晶格缓冲层、沟道层、隔离层、N型重掺杂的电子供应层和盖层；步骤5：采用化学抛光的方法，将盖层抛光，抛光后的粗糙度小于1nm；步骤6：通过光刻、腐蚀、金属布线工艺，在抛光后的盖层上沿沟槽的方向形成源极、漏极和栅极，完成器件的制备。
2.根据权利要求1所述的ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，其中二氧化硅层的厚度为600-700nm。
3.根据权利要求1所述的ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，其中沟槽的宽度为200-300nm，深度与二氧化硅层的厚度相同。
4.根据权利要求1所述的ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，其中缓冲层的材料为GaAs，生长温度为600-650℃，生长速率为
0.01-0.02nm/s，生长厚度为0.1-0.2nm。
5.根据权利要求1所述的ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，其中超晶格缓冲层的材料为AlAs/GaAs，生长温度为600-650℃，生长速率为0.1-0.11nm/s，生长厚度为100-110nm。
6.根据权利要求1所述的ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，其中沟道层的材料为GaAs，生长温度为600-650℃之间，生长速率为0.5-0.6nm/s，生长厚度为500-600nm。
7.根据权利要求1所述的ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，其中隔离层的材料为Al_xGaAs，生长温度为600-650℃，生长速率为
1.0-1.1nm/s，生长厚度为8.0-8.8nm。
8.根据权利要求1所述的ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，其中电子供应层的材料为Al_0.26GaAs，生长温度为700-750℃，生长速率为5-6nm/s，生长厚度为45-50nm。
9.根据权利要求8所述的ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，其中电子供应层采用Si重掺杂，电子浓度为2×10¹⁸cm^-3。
10.根据权利要求1所述的ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法，其中盖层的材料为GaAs，生长温度为600-650℃，生长速率为
1.0-1.5nm/s，生长厚度为12-18nm。