在Si基上制备InP基HEMT的方法

本发明公开了一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，包括步骤S1：在硅衬底上生长SiO

1.一种在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：在硅衬底上生长SiO₂层；步骤S2：刻蚀所述SiO₂层，以在该SiO₂层上形成多个沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3：采用低压MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长第一InP缓冲层、掺Fe的InP半绝缘层、第二InP缓冲层、GaInAs沟道层、AlInAs隔离层、掺杂Si的AlInAs供应层、势垒层、掺杂Si的GaInAs接触层，所述低压MOCVD工艺控制反应室生长压力为70～120mBar；步骤S4：在所述掺杂Si的GaInAs接触层上制作源极、漏极和栅极。
2.如权利要求1所述的在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，所述硅衬底为p型电阻率大于2000Ωcm的高阻(001)Si。
3.如权利要求1所述的在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为500～1000nm，所述沟槽的宽度为200～300nm。
4.如权利要求1所述的在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，当所述沟槽底部的SiO₂层的厚度为为25nm时停止刻蚀并清洗沟槽，以除去所述沟槽底部剩余的SiO₂层，以露出硅衬底。
5.如权利要求1所述的在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，生长所述第一InP缓冲层的生长温度和生长速率低于生长其他各层的生长温度和生长速率。
6.如权利要求5所述的在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，所述生长所述第一InP缓冲层的生长温度在450～550℃之间，生长速率为0.1～0.5nm/s；生长其他各层的生长温度在600～700℃之间，生长速率为0.8～1.2nm/s。
7.如权利要求1所述的在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，在生长完所述各层之后，将超出沟槽的所述掺杂Si的GaInAs接触层抛光，抛光至与所述SiO₂层齐平。
8.如权利要求1-7中任一项所述的在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，所述GaInAs沟道层的原子配比为Ga_0.47In_0.53As。
9.如权利要求1-7中任一项所述的在Si基上制备InP基HEMT的方法，其特征在于，所述AlInAs供应层的原子配比为Al_0.48In_0.52As。