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减少存储器装置中的泄漏电流

减少存储器装置中的泄漏电流

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201080005309.X 
  • 技术(专利)名称 减少存储器装置中的泄漏电流 
  • 项目单位 高通股份有限公司
  • 发明人 陈南 迈赫迪·哈米迪·萨尼 里图·哈巴  
  • 行业类别 物理
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 高通股份有限公司
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明揭示存储器装置和减少其中的泄漏电流的方法。所述存储器装置包括:存储器核心阵列,其包括多个位线;以及外围逻辑,其经配置以与所述存储器核心阵列介接。所述存储器装置进一步包括:脚开关,其经配置以使所述外围逻辑与接地电压隔离;以及头开关,其经配置以使预充电电流路径与所述存储器核心阵列的所述多个位线隔离。可经由所述脚开关和所述头开关所提供的所述隔离而减少所述存储器装置内的泄漏电流。
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