掩模版及其制备方法

本发明涉及一种掩模版及其制备方法。该掩模版包括基板，所述基板上形成有第一薄膜图形和部分透光薄膜图形，所述部分透光薄膜图形位于所述第一薄膜图形的上方或下方，且所述部分透光薄膜图形以外的区域为完全透光区域。本发明掩模版可在现有构图掩模版的基础上制得。通过调整曝光设备的实际曝光量，本发明掩模版即可实现原有构图掩模版的构图功能，也可实现现有UV掩模版的挡光和透光功能。采用本发明掩模版制备TFT-LCD过程中，可实现构图工艺和对盒工艺中所需使用掩模版的复用，因而有利于降低TFT-LCD的生成成本。