一种基于KTN晶体二次电光效应的激光偏转调制方法

本发明公开了一种基于KTN晶体二次电光效应的激光偏转调制方法，属于电光元器件的设计与制备研究领域。本发明以一定浓度离子掺杂的立方相Cu:KTN晶体的二次电光效应为基础，经过简单的元件和实验设计，在千伏直流电压内实现激光光束垂直于电场方向的连续非机械性扫描。以不同组分、不同掺杂浓度、不同加工尺寸的正对晶轴的长方体块KTN晶体为偏转元件，经过适当的电极设计和调控方式，在精确控温的基础上实现了激光光束的偏转，偏转效率高达120mradkV。本发明的突出特点是实现了激光传播方向垂直于电场方向的横向偏转，器件设计简单，偏转方式独特，且偏转效率达到国际先进水平。