NAND闪存装置的编程方法

一种NAND闪存装置的编程方法，利用自升压方案来减少在禁止编程存储单元串的沟道中的过量的电子，这些电子会引起编程干扰。在对沟道升压之前，可以施加负电压到连接禁止编程存储单元串的字线，来启动上述的减少步骤，并且可以产生高的编程抗干扰性。另外，列译码器可以实现编程操作，并且文件系统以上述的编程方案为基础而实现增进文件管理的效能。