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检测晶片表面形貌的方法

检测晶片表面形貌的方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201010509829.6 
  • 技术(专利)名称 检测晶片表面形貌的方法 
  • 项目单位 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 发明人 王辉 安辉  
  • 行业类别 物理
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明提供了一种检测晶片表面形貌的方法,包括:选取包括具有相同的全部相对表面形貌的多个管芯的晶片;选取第一管芯,使检测点阵列的中心位置对准第一管芯的中心位置,通过检测第一管芯的第一绝对表面形貌确定其第一相对表面形貌;选取第二管芯,使检测点阵列的中心位置偏离第二管芯的中心位置,通过检测第二管芯的第二绝对表面形貌确定其第二相对表面形貌;合并第一相对表面形貌和第二相对表面形貌确定管芯的全部相对表面形貌;检测晶片上的其它管芯的部分绝对表面形貌,通过部分绝对表面形貌和全部相对表面形貌,得到所有的管芯的全部绝对表面形貌。根据本发明,能够避免由于光点间具有间距而产生的“盲点”问题。
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  • 02

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