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外延碳化硅单晶基板及其制造方法

外延碳化硅单晶基板及其制造方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201080005900.5 
  • 技术(专利)名称 外延碳化硅单晶基板及其制造方法 
  • 项目单位 新日铁住金株式会社
  • 发明人 蓝乡崇 柘植弘志 星野泰三 藤本辰雄 胜野正和 中林正史 矢代弘克  
  • 行业类别 化学、冶金
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 新日铁住金株式会社
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明提供一种具有在使用了偏离角度为6°及其以下的基板的外延生长中抑制了台阶束的发生的高品质外延膜的外延SiC单晶基板及其制造方法。本发明的外延碳化硅单晶基板,是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板,其特征在于,所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度Ra值为0.5nm以下。
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