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一种在光子晶体中引入缺陷的方法

一种在光子晶体中引入缺陷的方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201210149602.4 
  • 技术(专利)名称 一种在光子晶体中引入缺陷的方法 
  • 项目单位 中山大学
  • 发明人 宋李烟 王自鑫 谢向生 周建英  
  • 行业类别 物理
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 中山大学
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明涉及一种在光子晶体中引入缺陷的方法,包括:1、取折射率和光刻胶相近且不相等的均匀液体滴在阶梯型薄膜的膜层阶梯处,阶梯型薄膜在和光刻胶相接的空气隙里均匀展开并吸附在一起,组成阶梯膜曝光系统;2、将阶梯膜曝光系统调节到全息光刻光路的焦平面处;3、利用CCD对相干光强模式进行实时监控;4、重复步骤2和3,直到CCD中观察到光强分布达到对比度最大,表明此时二维干涉模式质量最好;打开全息光刻光路激光进行曝光,根据光刻胶曝光剂量和曝光深度的相关数据,反推相干光强,结合相干区域光斑面积大小,最终确定曝光时间;5、曝光完成后,对阶梯型薄膜显影,除去因曝光剂量不足而未固化部分,得到缺陷结构。
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