一种使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法

本发明公开了一种使SONOS电晶体兼具开关以及记忆体的方法。该方法利用记忆体的源极端或是漏极端进行FN穿遂，进而改变漏极端或源极端附近的上方电荷储存层内的电子储存状态，并利用栅极感应漏极漏电流变化判别漏极或源极的记忆状态，在运作过程中电晶体一直保持稳定的临界电压。本发明可以使单一电晶体同时具有开关与记忆体双重特性，且具备二位元的记忆效果，且能提供与一般记忆体相比较高的记忆密度。