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磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法

磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201310250659.8 
  • 技术(专利)名称 磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法 
  • 项目单位 洛阳威尔若普检测技术有限公司
  • 发明人 窦柏林 黄金亮 缪康 窦晨琛  
  • 行业类别 化学、冶金
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 洛阳威尔若普检测技术有限公司
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明是关于磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料及方法。其中磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料的组成成分及各成分的重量百分含量为:Fe3~6%,Si7~16%,B2~15%,Ni2%,Nb1%,Ga0.5~2%,稀土金属300ppm~0.2%,余量为Co;该磁电效应传感器用高磁导率非晶软磁合金薄带材料是采用真空熔炼及高速旋淬急冷完成,制备的合金薄带经无磁场的电阻炉中加倾斜磁场退火以优化其软磁性能,本工艺方法制备的高磁导率非晶软磁合金薄带在磁电效应传感器使用,具有性能稳定,检测精度提高,重复性好等优点。
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