一种船槽式图案结构生长的碳纳米管生长方法及其发射体

一种船槽式图案结构生长的碳纳米管生长方法，包括催化剂沉积与生长条件的控制、新型衍模板图案结构与其厚度的选择；通过热气相化学沉积和等离子增强气相化学沉积法生长碳纳米管发射体。这可以获得阵列垂直与无序纵横生长的碳纳米管，阵列垂直生长的纳米管高度为15-20微米、宽度为4-6微米；无序生长处于图案内部，被阵列垂直型纳米管所包围，其厚度与数层或数十层纳米管直径相当。这种复合生长结构既拥有阵列型的均匀性又存在许多无序碳纳米管尖端，进而有效提高碳纳米管的发射体的场发射电流。