一种用于制备半导体膜的化学浴沉积方法及其反应器(公开号：CN103620087B)

本发明提供了用于在平面衬底上制备薄膜的化学浴沉积方法和反应器。具体地，它们对于沉积硫化镉或硫化锌以制造薄膜太阳能电池是尤其有用的。本方法及其沉积系统将薄膜沉积于由传送带所传送的垂直行进的平面衬底上。通过连续地喷淋从新鲜混合类型到逐渐老化形式的反应溶液直至获得预期厚度，而沉积薄膜。衬底和溶液均被加热到一反应温度。在沉积过程中，衬底的前表面完全被喷淋的溶液所覆盖，但衬底背面保持干燥。在反应器内部的反应环境可与外部环境隔绝。该设备被设计以产生最少量的需经化学处理的废液。