1.一种疏水性分离膜的制备方法,包括下述步骤:a)将疏水性单体与常规高分子制膜材料A在溶剂中形成均相溶液,b)对此均相溶液进行γ射线辐照处理引发接枝反应,获得疏水性接枝聚合物B,c)将该疏水性接枝聚合物B溶解或分散于有机溶剂中形成制膜液,d)将上述制膜液喷涂或涂覆于多孔基膜表面形成疏水性分离膜;所述疏水性分离膜可应用于膜蒸馏、膜吸收、膜萃取、蒸汽渗透、渗透汽化或油水分离过程。
2.根据权利要求1所述的制备方法,所述疏水性单体为含氟乙烯、含氟丙烯酸酯或含氟甲基丙烯酸酯,该单体分子中包含6~14个碳原子、9~21个氟原子。
3.根据权利要求1所述的制备方法,所述常规高分子制膜材料A为聚醚砜、聚砜、聚偏氟乙烯、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩醛、醋酸纤维素、壳聚糖、聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯砜、聚苯并咪唑酮、聚苯并咪唑、聚芳醚酮或聚醚醚酮,或上述高分子材料中两种以上的共混物。
4.根据权利要求1所述的制备方法,所述均相溶液中常规高分子制膜材料A的质量百分比为1~10%,其中疏水性单体的重量是常规高分子制膜材料A的1~20倍。
5.根据权利要求1所述的制备方法,所述接枝聚合物B的接枝率不超过65%。
6.根据权利要求1所述的制备方法,所述制膜液中接枝聚合物B含量为质量分数0.5-10%。
7.根据权利要求1所述的制备方法,所述多孔基膜为由无机材料或聚合物材料制成的超滤膜或微滤膜,或为有机无机复合膜。
8.根据权利要求1所述的制备方法,制膜前可采用等离子体方法或化学刻蚀方法对所述基膜表面进行预处理。
9.利用权利要求1~8中任意一种方法制备的疏水性分离膜。
10.权利要求9所述的疏水性分离膜应用于膜蒸馏、膜吸收、膜萃取、蒸汽渗透、渗透汽化或油水分离过程。
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