利用硅与卤代烃催化反应制备多孔硅材料的方法

本发明涉及多孔硅材料制备领域，具体地，本发明涉及利用硅与卤代烃反应进行多孔硅材料的制备方法。根据本发明的多孔硅材料的制备方法包括步骤：1)在固体催化剂的作用下，硅与气卤代烃加热反应，并控制硅不完全反应；2)分离未反应的硅，去除杂质后，即制备得到多孔硅材料。通过调节反应条件参数，可调控硅材料的孔径大小和分布及孔隙率。本发明不仅获得目前专利技术难以得到的多孔硅材料，还且还可以得到重要的有机硅单体化学品，过程简单，可以实现多孔硅材料的清洁生产，具有广泛的应用前景。

1.一种多孔硅材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1）在固体催化剂的作用下，硅与气卤代烃加热反应，并控制硅不完全反应同时得到有机硅单体；2）分离未反应完全的硅，去除杂质后，即制备得到多孔硅材料。
2.根据权利要求1所述的多孔硅材料的制备方法，其特征在于，使用的原料硅为厘米级或毫米级的硅片或硅粒，或微米级或纳米级的硅粉。
3.根据权利要求1所述多孔硅材料的制备方法，其特征在于，所述的气卤代烃为RX，X表示Cl或Br，R为选自烷基、乙烯基、苯基中的一种或几种。
4.根据权利要求3所述多孔硅材料的制备方法，所述R为甲基、乙基、丙基、乙烯基或苯基。
5.根据权利要求1所述多孔硅材料的制备方法，其特征在于，所述的有机硅单体为R_nSiX_(4-n)，其中n＝1、2或3，X表示Cl或Br，R为选自H、烷基、乙烯基、苯基中的一种或几种。
6.根据权利要求5所述的多孔硅材料的制备方法，其特征在于，所述R为甲基、乙基、丙基、乙烯基或苯基。
7.根据权利要求1所述多孔硅材料的制备方法，其特征在于，所述的固体催化剂为铜系催化剂，催化剂颗粒大小从纳米级到厘米级。
8.根据权利要求1所述多孔硅材料的制备方法，其特征在于，制备过程所使用的设备为固定床或流化床或浆态床反应器。
9.根据权利要求1所述的多孔硅材料的制备方法，其特征在于，反应温度为200-400℃，反应压力为0-1.0Mpa，反应时间为5小时-30天。
10.根据权利要求1所述的多孔硅材料的制备方法，其特征在于，所述未反应完全的硅经煅烧和/或酸洗方法处理去除杂质。