一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法

本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的Si

1.一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜，包括：-在Si衬底(10)上形成的缓冲层(11)；-在缓冲层(11)上形成的GaN外延层(18)；所述缓冲层(11)和GaN外延层(18)之间还顺次形成有Si_xN_y非晶层(12)、第一GaN层(13)、第一插入层(14)、第二GaN层(15)、第二插入层(16)和第三插入层(17)；以及所述Si_xN_y非晶层(12)的厚度为几个原子层的厚度，从而GaN能够在没有被Si_xN_y非晶层(12)覆盖的缓冲层(11)的小岛上成核生长；所述第一插入层(14)和第二插入层(16)采用720℃沉积的AlN，所述第三插入层(17)采用AlGaN。
2.根据权利要求1所述的在Si衬底上形成的GaN复合薄膜，其中所述缓冲层(11)采用720℃到800℃之间沉积的AlN。
3.根据权利要求1所述的在Si衬底上形成的GaN复合薄膜，其中所述缓冲层(11)采用720℃沉积的AlN。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的在Si衬底上形成的GaN复合薄膜，其中所述的在Si衬底(10)上形成各层的方法包括HVPE、MOCVD、PECVD、LPCVD。
5.一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括以下步骤：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在所述缓冲层(11)上形成Si_xN_y非晶层(12)；在没有被Si_xN_y非晶层(12)覆盖的缓冲层(11)的小岛上形成第一GaN层(13)；在所述第一GaN层(13)上形成第一插入层(14)；在所述第一插入层(14)上形成第二GaN层(15)；在所述第二GaN层(15)上形成第二插入层(16)；在所述第二插入层(16)上形成第三插入层(17)；在所述第三插入层(17)上形成GaN外延层(18)；其中，所述第一插入层(14)和第二插入层(16)采用720℃沉积的AlN，所述第三插入层(17)采用AlGaN。
6.根据权利要求5所述的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，其中在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)的步骤之前，还包括在Si衬底(10)上预先沉积几个原子层厚度的Al的步骤。
7.根据权利要求5所述的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，其中所述缓冲层(11)采用720℃沉积的AlN。
8.根据权利要求5所述的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，其中所述的在Si衬底(10)上形成各层的方法包括HVPE、MOCVD、PECVD、LPCVD。