1.掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
a、将二氧化锡粉末和氟化物混合均匀,然后干燥;
b、用步骤a干燥后的混合物制得粉末靶,然后安装于溅射仪的射频靶上;将基底材料进
行清洗、干燥后安装于溅射仪真空室的样品位置上;
c、开始溅射过程,制得掺氟氧化锡薄膜。
2.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于:步骤a中干燥的温
度为50~300℃。
3.根据权利要求2所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于:步骤a中干燥的温
度为100~200℃。
4.根据权利要求1所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于:溅射过程中,真空
室气氛为0.5~10Pa的氩气,氩气供气压力为0.1~5MPa。
5.根据权利要求4所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于:预溅射时间为
0.5~4h,正式溅射时间为20~50min,溅射功率为100~200W,靶距为15~40mm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于:所述
粉末靶中氟的含量为0.1~2%。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于:步骤
a中所述氟化物为氟化铵、氟氢化铵或氟化氢溶液中的至少一种。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于:步骤
b中所述基底材料为玻璃、石英、硅晶片或高分子柔性基底。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于:步骤
c制得掺氟氧化锡薄膜后将薄膜静置在空气中至少30分钟。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的掺氟氧化锡薄膜的制备方法,其特征在于:溅
射过程中电源采用射频电源。
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