1.一种高Al含量的AlTiN涂层,其特征在于:AlTiN涂层与基体之间有一层10~300 nm厚
的纯Ti金属层,以提高涂层与基体之间的结合力,涂层总的厚度为2~10 μm。
2.根据权利要求1所述的涂层,其特征在于:Al含量为25~35 at.%, Ti含量为15~20
at.%, N含量为45~55 at.%,其中Al/(Al+Ti)= 0.55~0.7。
3.根据权利要求1所述的AlTiN涂层,其特征在于:所述AlTiN涂层为面心立方结构的
(Al,T i)N相,涂层的衍射峰位于TiN和AlN相衍射峰的中间,但离AlN相衍射峰更近一些。
4.根据权利要求1所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:采用AIP-650型电弧离子
镀膜仪在高速钢和硬质合金上沉积具有高硬度、高耐蚀性能的AlTiN涂层。
5.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:基体材料经过除油和干
燥预处理后,放入正对靶材的转架上,转架可以同时自转和公转,公转速度为5~40 r/min,
靶基距约为150 mm。
6.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:采用机械泵和分子泵抽
真空;当真空室气压优于1×10-3 Pa时,打开加热系统将炉腔加热至200~500 ºC。
7.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:真空室温度达到200~500
ºC后,打开Ar气流量阀,气流量为50~ 150 sccm,调整节流阀使真空室压强为0.1~2 Pa,基
片加-600~1000 V负偏压,开启4个纯Ti靶,靶材电流均为50~150 A,对基体进行辉光溅射清
洗10~30 min。
8.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:沉积纯Ti金属层,负偏压
为-10~200 V,真空室压强为0.1~2 Pa,仅开启4个纯Ti靶,时间约5~20 min。
9.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:沉积AlTiN涂层时,N2和Ar
气流量为50~150 sccm,调整节流阀使真空室压强为0.5~3 Pa,控制N2/Ar比在0.5~1.5之
间;同时开启4个纯Al靶和纯Ti靶,电流均为50~150 A,沉积AlTiN涂层,时间为30~120 min。
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