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一种高Al含量的AlTiN复合涂层及制备方法

一种高Al含量的AlTiN复合涂层及制备方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-30
  • 技术成熟度:详情咨询
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
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  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201610545111.X 
  • 技术(专利)名称 一种高Al含量的AlTiN复合涂层及制备方法 
  • 项目单位 天津职业技术师范大学
  • 发明人 范其香 
  • 行业类别 化学、冶金
  • 技术成熟度 详情咨询
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 刘宇者
  • 发布时间 2020-03-30  
  • 01

    项目简介

    本发明涉及纳米复合涂层及其制备技术,具体地说是一种高Al含量的AlTiN纳米复合涂层的制备工艺。采用电弧离子镀技术在金属或硬质合金基体上制备AlTiN纳米复合涂层。为更好地调控涂层中Al元素和Ti元素的含量,选用纯金属Al和Ti(纯度均为99.9 wt.%,直径均为80 mm)作为靶材。纯Ti靶和Al靶各4个,相间地均匀分布在炉体内壁上,提高镀膜均匀性。镀膜前先通入Ar气,开启Ti靶,并对基体表面进行轰击清洗10~30 min,然后沉积金属Ti过渡层,最后再通入反应气体N,将Ti和Al靶同时起辉,沉积AlTiN涂层。本发明涉及的AlTiN纳米复合涂层制备工艺简单,重复性好,并且容易工业化生产;制备出的AlTiN涂层具有较高的硬度和强度,良好的耐高温氧化性能和耐蚀性能,组织结构致密、涂层与基体间的结合力强。
    展开
  • 02

    说明书

    1.一种高Al含量的AlTiN涂层,其特征在于:AlTiN涂层与基体之间有一层10~300 nm厚
    的纯Ti金属层,以提高涂层与基体之间的结合力,涂层总的厚度为2~10 μm。
    2.根据权利要求1所述的涂层,其特征在于:Al含量为25~35 at.%, Ti含量为15~20
    at.%, N含量为45~55 at.%,其中Al/(Al+Ti)= 0.55~0.7。
    3.根据权利要求1所述的AlTiN涂层,其特征在于:所述AlTiN涂层为面心立方结构的
    (Al,T i)N相,涂层的衍射峰位于TiN和AlN相衍射峰的中间,但离AlN相衍射峰更近一些。
    4.根据权利要求1所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:采用AIP-650型电弧离子
    镀膜仪在高速钢和硬质合金上沉积具有高硬度、高耐蚀性能的AlTiN涂层。
    5.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:基体材料经过除油和干
    燥预处理后,放入正对靶材的转架上,转架可以同时自转和公转,公转速度为5~40 r/min,
    靶基距约为150 mm。
    6.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:采用机械泵和分子泵抽
    真空;当真空室气压优于1×10-3 Pa时,打开加热系统将炉腔加热至200~500 ºC。
    7.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:真空室温度达到200~500
    ºC后,打开Ar气流量阀,气流量为50~ 150 sccm,调整节流阀使真空室压强为0.1~2 Pa,基
    片加-600~1000 V负偏压,开启4个纯Ti靶,靶材电流均为50~150 A,对基体进行辉光溅射清
    洗10~30 min。
    8.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:沉积纯Ti金属层,负偏压
    为-10~200 V,真空室压强为0.1~2 Pa,仅开启4个纯Ti靶,时间约5~20 min。
    9.按照权利要求2所述的AlTiN涂层的制备工艺,其特征在于:沉积AlTiN涂层时,N2和Ar
    气流量为50~150 sccm,调整节流阀使真空室压强为0.5~3 Pa,控制N2/Ar比在0.5~1.5之
    间;同时开启4个纯Al靶和纯Ti靶,电流均为50~150 A,沉积AlTiN涂层,时间为30~120 min。
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专利技术附图

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