1.一种太赫兹波段低损耗系数MgO-TiO2-ZnO系统陶瓷,其特征在于,其组分及其原料重量百分比为42--52% 4MgCO3·Mg(OH) ·5H2O、4--8% TiO2、45--47% ZnO。2.一种权利要求1的太赫兹波段低损耗系数MgO-TiO2-ZnO系统陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将原料按重量百分比42--52% 4MgCO3·Mg(OH) ·5H2O、4--8% TiO2、45--47% ZnO配料;(2)将步骤(1)的配料进行混合,放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水,球磨4.5小时,将球磨后的原料于红外干燥箱中110℃烘干,过250孔/cm2分样筛;(3)将步骤(2)中粉料先按3℃/min的升温速率加热至500℃,再按3~4℃/min的升温速率加热至1190℃,制得预烧熔块;(4)将步骤(3)的熔块在玛瑙研钵中研磨粉碎成粉末,放入球磨罐中,加入氧化锆球和去离子水,继续球磨5小时,于110℃干燥,过250孔/cm2分样筛,加入6~7wt%石蜡造粒,在80Mpa压强下压制生坯;(5)将步骤(4)的胚体先按3℃/min的升温速率加热至500℃,再按3~4℃/min的升温速率加热至1340~1360℃烧结,保温4小时,冷却后制得陶瓷介质;(6)测试步骤(5)的MgO-TiO2-ZnO陶瓷的太赫兹波段的电磁性能。3.根据权利要求1的一种太赫兹波段低损耗系数MgO-TiO2-ZnO系统陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)的原料4MgCO3·Mg(OH) ·5H2O、TiO2和ZnO的纯度大于99.9%。4.根据权利要求1的一种太赫兹波段低损耗系数MgO-TiO2-ZnO系统陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)胚体为Ф10mm×0.5mm的圆柱体。5.根据权利要求1的一种太赫兹波段低损耗系数MgO-TiO2-ZnO系统陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤(6)的测试系统为宽带 8-F 共焦式太赫兹时域光谱测试系统。
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