1.一种抗干扰干涉仪,其特征在于:包括主控单元、抗干扰单元、输出单元,所述主控
单元包括芯片U1,所述抗干扰单元包括放大器U2、放大器U3、电阻R1、电阻R2、电阻R3、
电阻R4、电容C1、电感L1、光信号输入端J1,所述输出单元包括输出端J2、光电耦合器U4、
场效应管Q1,所述芯片U1选用STM32F407ZG型号的处理器,的引脚4接电阻R3的一端、放
大器U1的引脚2、电感L1的一端,其引脚5接电阻R4的一端、放大器U3的引脚1,其引脚
22接场效应管Q1的D极,其引脚25接场效应管Q1的G极,其引脚33接光电耦合器U4的
引脚2、输出端J2的引脚3,其引脚34接输出端J2的引脚4,其引脚36接输出端J2的引
脚2、光电耦合器U4的引脚4,其引脚37接输出端J2的引脚1,所述放大器U2的引脚3接
电阻R1的一端,其引脚1接电阻R3的另一端、电容C1的一端、放大器U3的引脚2,所述
放大器U3的引脚3接电阻R2的一端,所述电容C1的另一端接电阻R4的另一端,所述电阻
R2的另一端接电阻R1的另一端且都接地,所述电感L1的另一端接光信号输入端J1,所述光
电耦合器U4的引脚3接场效应管Q1的S极,其引脚1接输出端J2的引脚5。
2.根据权利要求1所述的一种抗干扰干涉仪,其特征在于:所述放大器U2选用比较放
大器。
3.根据权利要求1所述的一种抗干扰干涉仪,其特征在于:所述放大器U3选用比较放
大器。
4.根据权利要求1所述的一种抗干扰干涉仪,其特征在于:所述场效应管Q1选用N道
沟型的场效应管。
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