一种冷藏运输载具用温湿度传感器及其制备方法

本发明涉及一种冷藏运输载具用温湿度传感器及其制备方法，其传感器的感温单元与感湿单元分别固装在各自的由氮化硅钝化层所制成的方槽内；其制备方法的步骤是：首先淀积一层较厚的氮化硅钝化层，在其上光刻腐蚀形成两个腔作为感温单元和感湿单元的隔室，将感温单元和感湿单元分别安装到两个隔室中，再进行外围处理电路的印刷安装，最后对整个传感器进行封装检测。本发明感湿单元的上下电极和感湿膜均采用梳状结构，电极采用梳状结构的优点在于可以增大感湿单元的电容输出值，感湿膜采用梳状结构的优点在于增大了膜与空气的接触面积，缩短了水分子进出感湿膜的时间，从而提高传感器响应速度；采用CMOS工艺制备，具备微型化、低功耗的特点。

1.一种冷藏运输载具用温湿度传感器，其特征在于：包括感温单元、感湿单元及氮化硅钝化层，感
温单元与感湿单元分别固装在各自的由氮化硅钝化层所制成的方槽内。
2.根据权利要求1所述的冷藏运输载具用温湿度传感器，其特征在于：所述感温单元由封装层、NTC
热敏电阻芯片、金属电极及其引线构成，金属电极之间固装NTC热敏电阻芯片，在金属电极外密封固装
封装层，电极引线引出封装层外。
3.根据权利要求1所述的冷藏运输载具用温湿度传感器，其特征在于：所述感湿单元由下至上每层
依次为硅衬底、二氧化硅、多晶硅、氮化硅、下电极及其引线、电阻条及其引线、高分子感湿膜、上电极
及其引线、氮化硅构成，其中，硅衬底、二氧化硅、多晶硅、氮化硅均采用封闭的板状，下电极、高分子
感湿膜、上电极、氮化硅均采用形状基本相同的梳齿状，而电阻条采用折线结构。
4.根据权利要求1所述的冷藏运输载具用温湿度传感器，其特征在于：所述电阻条及其引线和下电
极及其引线处于同一水平面，均附在氮化硅的上表面，电阻条采用折线结构，环绕穿插于下电极的梳状齿
的间隙中。
5.一种如权利要求1所述的冷藏车用气体压力传感器的制备方法，其特征在于：首先淀积一层较厚
的氮化硅钝化层，在其上光刻腐蚀形成两个腔作为感温单元和感湿单元的隔室，将感温单元和感湿单元分
别安装到两个隔室中，再进行外围处理电路的印刷安装，最后对整个传感器进行封装检测。
6.根据权利要求5所述的冷藏运输载具用温湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述感温单元的
制作过程是：
⑴将锰、铜、钴、铁、镍的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺后经过划切，制成方片型
NTC热敏电阻基片；
⑵将导电银浆涂覆到NTC热敏电阻基片上下正方形表面，形成NTC热敏电阻的两个金属电极；
⑶将两根杜美丝分别粘覆到导电银浆形成的两个金属电极上，作为金属电极的引线，在银浆烧结温度
下烧结，即完成暂未封装的NTC热敏电阻；
⑷将玻璃浆料用喷头通过合适压力喷洒到第⑶步制好的NTC热敏电阻上，形成致密且薄的玻璃保护
层即完成玻璃封装，其中预留出一定长度的杜美丝避免被玻封，最后烧结，完成感温单元制备。
7.根据权利要求5所述的冷藏运输载具用温湿度传感器的制备方法，其特征在于：所述感湿单元的
制作过程是：在硅衬底上热生长一层氧化层二氧化硅，然后在二氧化硅上淀积一层多晶硅，并且在多晶硅
上光刻引线孔，再于多晶硅上淀积绝缘层氮化硅，在氮化硅上溅射铝并光刻腐蚀成梳状结构，导出引线，
形成下电极及其引线，并且在氮化硅上溅射铝或者铂，经光刻腐蚀形成折线结构的电阻条环绕穿插于下电
极的梳状齿的间隙中，导出引线，在下电极上表面涂覆聚酰亚胺形成高分子感湿膜，然后于高分子感湿膜
上表面溅射铝并导出引线，形成上电极及其引线，最后在上电极上表面淀积绝缘层氮化硅。