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一种X射线检测装置的阵列基板的制造方法

一种X射线检测装置的阵列基板的制造方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201210084478.8 
  • 技术(专利)名称 一种X射线检测装置的阵列基板的制造方法 
  • 项目单位 北京京东方光电科技有限公司
  • 发明人 谢振宇 张文余 徐少颖  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 北京京东方光电科技有限公司
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明公开了一种X射线检测装置的阵列基板的制造方法,所述制造方法包括:在衬底基板上通过第一次掩模工艺形成源极和漏极、与漏极连接的反光层、位于源极和漏极之上的欧姆层、位于反光层之上的光电二极管和透明电极的图形;通过第二次掩模工艺形成位于欧姆层之上的有源层图形;形成覆盖整个基板的栅极绝缘层;通过第三次掩模工艺形成用于连接偏压电极和透明电极的栅极绝缘层过孔;通过第四次掩模工艺形成位于有源层上方的栅极和与透明电极连接的偏压电极图形。有源层可在第二次掩模工艺中形成,沟道不再受到刻蚀的影响,且后续步骤形成的栅极可对沟道进行保护,不再需要设置沟道阻挡层,因此简化了阵列基板的制造工艺,大大提高了产能。
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