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利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法

利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法

  • 专利类型：发明专利
  • 有效期：不限
  • 发布日期：2020-03-27
  • 技术成熟度：未知
交易价格： ￥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201210124956.3 
  • 技术(专利)名称 利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法 
  • 项目单位 桑迪士克3D公司
  • 发明人 A·谢瑞克 S·B·赫纳 M·克拉克  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ￥面议
  • 联系人 桑迪士克3D公司
  • 发布时间 2017-01-18  

  • 01

    项目简介

    本发明提供了一种形成存储器单元的方法，包括：1在衬底上方形成第一导体206；2利用选择性生长工艺在第一导体上方形成可逆电阻切换元件；3在第一导体上方形成二极管204；以及4在二极管和可逆电阻切换元件上方形成第二导体208以获得交叉点存储器件。切换元件也可以通过一个TFT控向。切换元件包含难以刻蚀的材料如TiO
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  • 02

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