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占用传感器

占用传感器

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201080023392.3 
  • 技术(专利)名称 占用传感器 
  • 项目单位 皇家飞利浦电子股份有限公司
  • 发明人 W. F. P. 帕斯维尔 J. R. 哈尔特森 R. A. H. 尼森  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 皇家飞利浦电子股份有限公司
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    一种用于制作传感器装置(100;200;300;400)的方法,该传感器装置包括一起整合在一个半导体载体(10)中的热传感器(23)、蓄电池(33)、天线(34)、电子电路系统(22)和太阳能电池(43),该方法包括下述步骤:提供硅晶片(10),其具有两个主表面(11、12);在一个主表面(11)中制作第一功能层(20),其包括热传感器部分(21)并且包括与该热传感器部分按照不交叠关系布置的电子电路系统(22);与该热传感器部分按照不交叠关系布置第二功能层(30),其包含蓄电池(33)和天线(34);与该热传感器部分按照不交叠关系布置第三功能层(40),其含有一个或多个太阳能电池(43);移除该传感器部分(21)下方的部分晶片。
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