氮化物半导体基板及其制造方法

一种氮化物半导体基板及其制造方法，所述氮化物半导体基板包括基材、图案化氮化物半导体、保护层以及氮化物半导体层。图案化氮化物半导体层位于基材上，其中图案化氮化物半导体层包括多个纳米柱结构以及多个块状图案，且纳米柱结构的上表面与块状图案的上表面实质上共平面。保护层披覆在纳米柱结构与块状图案的侧壁上。氮化物半导体层位于图案化氮化物半导体层上，其中氮化物半导体层与图案化氮化物半导体层的间具有多个纳米孔洞。