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电子镇流器半桥驱动芯片中的自适应死区时间控制电路

电子镇流器半桥驱动芯片中的自适应死区时间控制电路

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201110171669.3 
  • 技术(专利)名称 电子镇流器半桥驱动芯片中的自适应死区时间控制电路 
  • 项目单位 西安电子科技大学
  • 发明人 来新泉 袁冰 刘福博 陈新 何惠森 田磊  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 西安电子科技大学
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明公开了一种集成于电子镇流器半桥驱动芯片中的自适应死区时间控制电路,主要解决传统电子镇流器因死区时间固定而导致的开关损耗过大或死区效应严重的问题。本发明的自适应死区时间控制电路包括:下降沿检测电路、调节电路以及死区生成电路,其中下降沿检测电路将检测到的芯片外部半桥的输出电压转换为上、下门限电压信号传输到调节电路;调节电路判断当前死区时间是否在上、下门限之间,并根据判断结果产生控制电压信号传输到死区生成电路;死区生成电路根据控制电压信号生成死区时间,并将死区时间反馈给调节电路,该死区时间最终将稳定在上、下门限值之间。本发明减小了电子镇流器的开关损耗和死区效应,提高了电子镇流器的效率。
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