获得交替排列的P型和N型半导体薄层结构的方法及结构

本发明公开了一种获得交替排列的P型和N型半导体薄层结构的工艺方法，对于P型器件，在沟槽形成后，在沟槽中生长热氧化膜，然后淀积所需要浓度的N型多晶硅或无定型硅，通过高温过程将N型杂质通过热氧化膜扩散到P型外延中，将沟槽中的N型多晶硅全部氧化掉，再将外延硅片上表面的氧化硅膜去除。本发明还公开了一种具有交替排列的P型和N型半导体薄层的半导体器件结构，N型半导体薄层是将N型多晶硅膜中的杂质通过热氧化膜扩散到P型外延中形成的，在沟槽内填充氧化膜。本发明利用高浓度掺杂的成熟工艺得到高压器件中相对低的掺杂浓度的N型薄层，降低了器件的开发和生产成本；适用于高压超级结MOSFET。