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电子束光刻装置以及光刻方法

电子束光刻装置以及光刻方法

  • 专利类型:发明专利
  • 有效期:不限
  • 发布日期:2020-03-27
  • 技术成熟度:未知
交易价格: ¥面议
  • 法律状态核实
  • 签署交易协议
  • 代办官方过户
  • 交易成功

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  • 技术(专利)类型 发明专利
  • 申请号/专利号 CN201280048943.0 
  • 技术(专利)名称 电子束光刻装置以及光刻方法 
  • 项目单位 株式会社PARAM
  • 发明人 安田洋  
  • 行业类别 电学
  • 技术成熟度 未知
  • 交易价格 ¥面议
  • 联系人 株式会社PARAM
  • 发布时间 2017-01-18  
  • 01

    项目简介

    本发明形成间隔为波束尺寸整数倍的二维平面内的正方形格栅矩阵波束群,通过位映像信号打开关闭待光刻的元件的网格,修整希望的波束形状,将波束偏向于需要位置,波束状态稳定后,打开全体遮光器,通过照射波束而获得高精度且高速的光刻图案。提供给各波束的打开关闭信号和向量扫描信号,在波束稳定后,解除全体遮光器,并且从而以少数数据量进行高精度、高速的光刻。当全体拍摄数量超过一定值时,修改图案数据并且实现高速光刻。半导体反偏压PN结技术被优选地用于个别遮光电极。
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  • 02

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