一种导电插塞的形成方法

一种导电插塞的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成绝缘介质层，绝缘介质层内具有分立第一金属层，第一金属层表面与绝缘介质层表面齐平；在绝缘介质层和第一金属层上形成镍金属层；刻蚀镍金属层，形成开口，开口露出部分第一金属层表面；在刻蚀后的镍金属层表面以及侧壁形成石墨烯薄膜层；在石墨烯薄膜层及第一金属层和绝缘介质层上形成第一层间介质层；平坦化第一层间介质层及石墨烯薄膜层至露出镍金属层；刻蚀镍金属层和石墨烯薄膜层，形成与各分立第一金属层连通的导电插塞。本发明利用石墨烯材料良好的导电性能，制作石墨烯导电插塞，使半导体衬底上各个互连金属层间电学通路的导电性能更好，从而提高最终器件的质量和性能。