双镶嵌结构形成方法

本发明提供了一种双镶嵌结构形成方法，包括步骤：提供半导体结构和压印屏蔽，半导体结构包括互连层、位于互连层上的介质层，位于介质层上的牺牲层；对所述半导体结构上的牺牲层进行加热，使得所述牺牲层软化；利用所述压印屏蔽对所述半导体结构上的牺牲层进行冲压，使得所述半导体结构上的凸起嵌入所述牺牲层内；对半导体结构上的牺牲层进行冷却，使得所述牺牲层硬化；将所述压印屏蔽取出，从而在所述半导体结构的牺牲层上形成双镶嵌结构；对具有双镶嵌结构的半导体结构进行刻蚀，使得在介质层中形成双镶嵌结构，并且所述双镶嵌结构中的通孔底部暴露互连层。从而减少了对基底造成的损伤，提高了器件可靠性。