浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法

浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法,属于晶体生长领域。包括以下步骤:将Ta2O5粉料经过球磨、烘干;装入橡胶管中,放入等静压下压制成素坯棒;将素坯棒经烧结后获得多晶棒;将素坯棒或多晶棒作为料棒,并将多晶棒或Ta2O5单晶作为籽晶,籽晶和料棒在竖直方向成一直线,其接触点与卤素灯处于同一水平线上;升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化,调整料棒和籽晶的转速和旋转方向,接种;通过聚焦镜的移动或上下棒的移动,使熔区远离聚焦点,使熔区温度下降实现结晶,晶体生长速度10～60mm/h;生长完的晶体冷却至室温。本发明生长周期短,制备效率高,能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ta2O5单晶。

浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法,属于晶体生长领域。包括以下步骤:将Ta2O5粉料经过球磨、烘干;装入橡胶管中,放入等静压下压制成素坯棒;将素坯棒经烧结后获得多晶棒;将素坯棒或多晶棒作为料棒,并将多晶棒或Ta2O5单晶作为籽晶,籽晶和料棒在竖直方向成一直线,其接触点与卤素灯处于同一水平线上;升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化,调整料棒和籽晶的转速和旋转方向,接种;通过聚焦镜的移动或上下棒的移动,使熔区远离聚焦点,使熔区温度下降实现结晶,晶体生长速度10～60mm/h;生长完的晶体冷却至室温。本发明生长周期短,制备效率高,能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ta2O5单晶。