一种采用激光辐照氮化镓外延片改善以其为基底的LED发光性能的方法

种采用激光辐照氮化镓外延片以改善以其为基底的LED发光性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片(表面为p型)进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm‑0.6J/cm，采用磁控溅射的方法在样品表面淀积金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等些金属半导体欧姆接触的电学测试，经测试，辐照后样品的各项电学性质发生了显著变化，表明在辐照后其欧姆接触得到了极大的改善。对辐照前后的GaN外延片进行流程化LED工艺制作，再对其正向电压、反向漏电流、光出射功率等LED特性参数测试，均得到了不同程度的改善。

种采用激光辐照氮化镓外延片以改善以其为基底的LED发光性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片(表面为p型)进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm‑0.6J/cm，采用磁控溅射的方法在样品表面淀积金属电极后，再进行如载流子浓度、表面电阻率等些金属半导体欧姆接触的电学测试，经测试，辐照后样品的各项电学性质发生了显著变化，表明在辐照后其欧姆接触得到了极大的改善。对辐照前后的GaN外延片进行流程化LED工艺制作，再对其正向电压、反向漏电流、光出射功率等LED特性参数测试，均得到了不同程度的改善。