1.一种InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,包括:一衬底;一低温成核层,其制作在衬底上,该低温成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心;一非故意掺杂氮化镓缓冲层,其制作在低温成核层上;一n型掺杂氮化镓层,其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层上;一非故意掺杂多量子阱层,其制作在n型掺杂氮化镓层上面的一侧,另一侧的n型掺杂氮化镓层上面形成一台面,该非故意掺杂多量子阱层为铟镓氮太阳能电池的吸收层;一p型掺杂氮化镓层,其制作在非故意掺杂多量子阱层上;一N型欧姆电极,其制作在n型掺杂氮化镓层上的台面上;一P型欧姆电极,其制作在p型掺杂氮化镓层上。
2.如权利要求1所述的InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,其中所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅或氮化镓。
3.如权利要求1所述的InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,其中所述低温成核层的材料为氮化镓或者氮化铝。
4.如权利要求1所述的InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,其中n型掺杂氮化镓层中的自由电子浓度为1×1017-1×1019cm-3,所述p型掺杂氮化镓层15的自由空穴浓度为1×1017-1×1019cm-3。
5.如权利要求1所述的InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,其中非故意掺杂多量子阱层包括10-20个InxGa1-xN/AlyInzGa1-y-zN周期结构,每个周期由InxGa1-xN阱层141和AlyInzGa1-y-zN垒层140构成,其中0<x≤1。
6.如权利要求5所述的InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,其中InxGa1-xN阱层的生长温度为700-800℃,厚度为2-5nm。
7.如权利要求5所述的InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,其中AlInGaN垒层生长温度为800-900℃,厚度为38nm。
8.如权利要求7所述的InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,其中AlyInzGa1-y-zN垒层中的Al组分y,In组分z的确定要保证阱内总电场最大,同时AlyInzGa1-y-zN垒层的禁带宽度大于或等于InGaN阱层的禁带宽度,但小于或等于GaN的禁带宽度,即Eg(GaN)≥Eg(AlInGaN)≥Eg(InGaN)。
9.如权利要求1所述的InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,其中所述的N型欧姆电极是点状结构或环形结构。
10.如权利要求1所述的InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构,其中所述的P型欧姆电极是点状结构或环形结构。
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