一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法

本发明公开了一种AlGaN基双色日盲紫外探测器及制作方法。该探测器包括：衬底；缓冲层；n‑i‑p‑i‑n单元，其包括缓冲层上依次生长的下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层；上台面，其是通过刻蚀上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层两侧形成的台面；下台面，其是通过刻蚀上台面下方两侧的p型掺杂层形成；n型欧姆接触金属层，其生长在上n型掺杂层表面，以及下台面一侧的下n型掺杂层上表面；p型欧姆接触金属层，其生长在上台面一侧的p型掺杂层上表面；加厚金属层，其生长在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层上表面，其尺寸大于其下方的欧姆接触金属层的尺寸；二氧化硅层。

1.一种AlGaN基双色日盲紫外探测器的制作方法，包括以下步骤：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下n型掺杂层、下i型有源层、p型掺杂层、上i型有源层和上n型掺杂层，得到基片，该上n型掺杂层、上i型有源层、p型掺杂层、下i型有源层和下n型掺杂层构成n-i-p-i-n单元；步骤2：在所得到的基片表面边缘向下进行刻蚀，刻蚀深度到达p型掺杂层内，形成上台面；步骤3：对所形成的上台面下方两侧的p型掺杂层向下进行刻蚀，刻蚀深度到达下n型掺杂层内，形成下台面；步骤4：在上台面、下台面表面以及侧壁沉积二氧化硅层；步骤5：采用刻蚀的方法去除上n型掺杂层、下n型掺杂层表面的部分二氧化硅层并制作n型欧姆接触金属层；步骤6：采用刻蚀的方法去除p型掺杂层表面的部分二氧化硅层并制作p型欧姆接触金属层；步骤7：在n型欧姆接触金属层和p型欧姆接触金属层的表面制作加厚金属层，完成器件制作。
2.根据权利要求1所述的AlGaN基双色日盲紫外探测器的制作方法，其中所述的衬底为双面抛光的蓝宝石材料。
3.根据权利要求1所述的AlGaN基双色日盲紫外探测器的制作方法，其中所述的上n型掺杂层和下n型掺杂层都为重型掺杂AlGaN材料，其掺杂浓度高于或等于1×10¹⁸cm^-3。
4.根据权利要求1所述的AlGaN基双色日盲紫外探测器的制作方法，其中所述的上i型有源层和下i型有源层都为非故意掺杂AlGaN材料，其掺杂浓度低于1×10¹⁷cm^-3。
5.根据权利要求1所述的AlGaN基双色日盲紫外探测器的制作方法，其中所述的p型掺杂层为p型掺杂AlGaN材料，其掺杂浓度高于或等于1×10¹⁷cm^-3。
6.根据权利要求1所述的AlGaN基双色日盲紫外探测器的制作方法，其中所述的上台面、下台面的形状为圆形或方形。
7.根据权利要求1所述的AlGaN基双色日盲紫外探测器的制作方法，其中所述的二氧化硅层的厚度为300-500纳米。
8.根据权利要求1所述的AlGaN基双色日盲紫外探测器的制作方法，其中所述的n型欧姆接触金属层为钛铂金、钛金、镍铂金、镍金或钛铝镍金合金材料，或者为钛铝钛金多层金属材料；所述的p型欧姆接触金属层为镍金、钛金或钯金合金材料；所述的加厚金属层为镍金、钛金、钛铝镍金、镍镉金合金材料或其组合，或者为钛铝钛金多层金属。
9.根据权利要求4所述的AlGaN基双色日盲紫外探测器的制作方法，其中所述的上i型有源层和下i型有源层的Al组分根据所需的截止波长进行调整。