含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的背入射太阳能电池

一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，包括：一衬底；在衬底上依序制作有低温氮化镓成核层、非故意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂GaN层、第一非掺杂高In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层、非掺杂低In组分量子阱层、P型掺杂氮化镓层，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面上制作一N型欧姆电极，一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。本发明可以有效的利用不同波段的太阳光，提高太阳能电池的转换效率。

1.一种含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，其包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，其制作在衬底之上，该低温氮化镓成核层为后续生长氮化镓材料提供成核中心；一非故意掺杂氮化镓缓冲层，其制作在低温氮化镓成核层之上；一n型掺杂GaN层，其制作在非故意掺杂氮化镓缓冲层之上，该n型掺杂GaN层上面的一侧有一台面，该台面低于n型掺杂GaN层的上表面；一第一非掺杂低In组分量子阱层，其制作在n型掺杂GaN层之上，其由In_xGa_1-xN/GaN多层结构组成，其中0＜x＜1；一第二非掺杂低In组分量子阱层，其制作在第一非掺杂低In组分量子阱层之上，其由In_yGa_1-yN/GaN多层结构组成，其中0＜y＜1且y＞x；一非掺杂高In组分量子阱层，其制作在第二非掺杂低In组分量子阱层之上，其由In_zGa_1-zN/GaN多层结构组成，其中0＜z＜1且z＞y；一P型掺杂氮化镓层，其制作在非掺杂高In组分量子阱层之上；一N型欧姆电极，其制作在n型接触层上面的台面上；一P型欧姆电极，其制作在P型接触层上。
2.如权利要求1所述的含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，其中所述的衬底为双面抛光的蓝宝石或氮化镓材料。
3.如权利要求1所述的含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，其中n型掺杂GaN层中的自由电子浓度为1×10¹⁷cm^-3-1×
10¹⁹cm^-3。
4.如权利要求1所述的含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，其中第一非掺杂低In组分量子阱层中In_xGa_1-xN/GaN的周期数为2-10，第二非掺杂低In组分量子阱层中In_yGa_1-yN/GaN的周期数为2-10，非掺杂高In组分量子阱层中In_zGa_1-zN/GaN的周期数为5-20。
5.如权利要求4所述的含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，其中第一非掺杂低In组分量子阱层、第二非掺杂低In组分量子阱层和非掺杂高In组分量子阱层中的InGaN的厚度为1nm-4nm，GaN的厚度为3nm-15nm。
6.如权利要求1所述的含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，其中所述P型掺杂氮化镓层的厚度为1-3um，自由空穴浓度为1×10¹⁷cm^-3-1×10¹⁹cm^-3。
7.如权利要求1所述的含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，其中所述的N型欧姆电极是点状结构或环形结构。
8.如权利要求1所述的含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池，其中所述的P型欧姆电极是点状结构或环形结构。