一种双极型单片三维半导体集成结构

本实用新型公开了一种双极型单片三维半导体集成结构，它包括P型衬底，轻掺杂P型外延层位于P型衬底上，轻掺杂N型外延层位于轻掺杂P型外延层上。在P型衬底和P型外延层之间集成有半导体器件，在轻掺杂N型外延层上也集成有半导体器件。解决了现有技术采用平面集成工艺制备的半导体元/器件只能存在于芯片上表面附近几微米到数十微米的范围内、芯片集成度低的问题。同层相邻的器件之间以及不同层器件之间均由反向偏置的PN结进行隔离，工艺成本较低。体内器件和表面器件之间通过硅通孔实现互连，能有效降低互连结构的面积、提高芯片的集成度。

1.一种双极型单片三维半导体集成结构，它包括P型衬底，轻掺杂P型外延层位于P型衬底上，轻掺杂N型外延层位于轻掺杂P型外延层上，其特征在于：在P型衬底和P型外延层之间集成有半导体器件，在轻掺杂N型外延层上也集成有半导体器件。
2.根据权利要求1所述的一种双极型单片三维半导体集成结构，其特征在于：在P型衬底和P型外延层之间集成的半导体器件为纵向NPN晶体管、横向PNP晶体管、衬底寄生PNP晶体管、二极管、扩散电阻中的一个或一个以上器件。
3.根据权利要求1所述的一种双极型单片三维半导体集成结构，其特征在于：P型衬底和P型外延层之间的半导体器件与轻掺杂N型外延层上集成的半导体器件之间通过硅通孔实现电互连。
4.根据权利要求1所述的一种双极型单片三维半导体集成结构，其特征在于：同层相邻器件之间以及不同层器件之间均通过反向偏置的PN结实现电隔离。