一种NiO:TiOx异质pn结二极管

本发明公开了一种NiO:Al/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜以及n型TiOx薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Al/TiOx异质pn结二极管，最后采用磁控溅射或热蒸发法在pn结上制作电极。本发明中异质pn结二极管具有较高的反向击穿电压、较大的正向电流密度，而且其制备方法工艺简单。

1.一种NiO:Al/TiOx异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，其特征在于：所述pn结是由p型NiO:Al薄膜和n型TiOx薄膜而得到的异质pn结。2.权利要求1所述NiO:Al/TiOx异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Al薄膜和TiOx薄膜形成异质pn结。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：本发明采用NiO:Al₂O₃陶瓷靶，磁控溅射工艺制备NiO:Al薄膜，在此采用氧分压O₂/(O₂+Ar)=0％-100％。4.溅射前的腔体本底真空度优于3x10^-4Pa，溅射气压为0.5-2Pa，溅射功率为100-200W。5.镀膜时间均为20-120min，衬底温度从RT变化至600^oC，退火温度从200^oC变化至700^oC。6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：本发明采用TiO₂陶瓷靶，磁控溅射工艺制备TiOx薄膜，在此采用氧分压O₂/(O₂+Ar)=0％-100％。7.溅射前的腔体本底真空度优于3x10^-4Pa，溅射气压为0.5-2Pa，溅射功率为50-200W。8.镀膜时间均为20-120min，衬底温度从RT变化至600^oC，退火温度从200^oC变化至700^oC。9.权利要求1或2或3或6所述NiO:Al/TiOx异质pn结二极管的制备方法，其特征在于：采用溅射法或热蒸发法在pn结上制作电极；其中，NiO:Al和TiOx表面沉积银，镍，铝或金电极。